구갑렬씨는 차세대 반도체 웨이퍼 관련 연구를 수행하면서 2년여의 심사 끝에 특허청으로부터 등록(특허명칭: SiC 단결정 성장장치)을 받았으며, 동의대 정보통신·소재공학과 박사과정에서 다양한 연구와 실험 공적을 인정받아 지난 10일 포상자로 선정됐다.

전자세라믹스센터 신병철 소장은 "구갑렬씨가 센터 설립 및 RRC(지역협력연구센터), TIC(지역기술혁신센터) 지정 이후 줄곧 연구조원으로써 성실히 본분을 다해왔다"며 "센터 장비 운용 및 연구 개발의 시스템 안정화에 중요한 역할을 수행한 결과"라고 말했다.

또한 "구씨는 창의적이고 긍정적인 태도로 공과대학 후배들에게 이공계 출신의 모범이 되고 있다"고 덧붙였다.