이 계약에 따라 나노소자특화팹센터는 서광석 서울대 교수팀(전기컴퓨터공학)이 개발한고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 단일기판 마이크로파 집적회로(MMIC) 제작 기술을 이전받게 된다.

계약 기간은 2015년 12월까지 10년이며, 기술료는 초기 지급분 1억원에 매출액의 일정 비율을 더한 금액이라고 서울대는 밝혔다.

이 기술은 서 교수팀이 과학기술부 21세기 프런티어 연구개발사업의 일환으로 발족한 테라급 나노소자개발사업단의 지원을 받아 개발한 것이다.

HEMT MMIC는 이동통신, 위성통신, 자동차용 레이더, 모바일 센서 등 초고속 통신 시스템의 핵심 부품으로, 나노소자특화팹센터는 올해 4월 본격 가동을 앞두고 관련 장비 및 시설을 구축 중이다. (연합)