박 교수는 차세대 정보통신 반도체 소자에 필요한 고성능 나노 '실리콘 온 인슐레이터(SOI)' 기술 개발에 대한 공로를 인정받아 수상자로 뽑혔다고 과기부가 2일 밝혔다.

SOI는 절연막 위에 실리콘 단결정층이 있는 구조의 웨이퍼를 말하는 것으로, 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연체인 산화막이 삽입돼 있다. 일반 웨이퍼에 비해 같은 전압에서 동작 속도를 빠르게 할 수 있고, 같은 속도에서 전원 전압을 낮게 할 수 있는 등 성능이 좋아 일반 웨이퍼에 비해 가격이 10배 가량 비싸다.

박 교수는 과기부 국가지정연구실(NRL)인 나노 SOI 공정 연구실을 운영하면서 차세대 45나노미터(㎚)급 이하의 고성능 나노 SOI 기술을 개발, 국내 정보 통신 소자의 핵심 소재인 나노 SOI 웨이퍼에 대한 국산화의 토대를 마련한 것으로 평가받고 있다. (연합)