기존의 플래쉬 메모리(flash memory)와 DRAM의 장점을 결합한 차세대 퓨전 메모리(URAM)가 국내 연구진에 의해 개발됐다.

교유과학기술부는 14일 KAIST의 최양규 교수팀과 나노종합팹센터가 공동으로 차세대 퓨전메모리를 개발했다고 밝혔다.

퓨전 메모리는 디지털 TV나 휴대용 정보기기 등의 발달에 따른 다기능·고성능화에 대응할 수 있는 차세대 기억장치다. KAIST는 "이번 개발은 반도체 메모리분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보했다는 데 의의가 있다"고 설명했다.

기존 플레쉬 메모리와 DRAM 하나의 메모리 트랜지스터에서 복합기능을 수행하기 때문에 제작비용은 절감하면서도 집적도를 올릴 수 있다. 때문에 디지털 카메라·PDA·게임기·휴대폰 등에서도 퓨전 메모리 수요가 증가할 것으로 예상된다.

연구팀은 "퓨전 메모리 시장 점유율이 전체 반도체 시장의 5%로 가정할 때 시장규모가 2010년 150억 달러, 2015년 204억 달러에 달할 것"이라며 "URAM이 2~3년내에 상용화될 경우 그 파급효과가 매우 크다"고 밝혔다.

이번 연구 결과는 나노종합팹센터의 우수한 공정기술과 장비를 활용한 공동연구로 지난 12월 미국 워싱턴D.C.에서 개최된 전자소자학회(International Electron Device Meeting)에서 처음 소개됐으며 지난달 17일 미국 하와이에서 열렸던 초고집적회로 국제학회에서 URAM 연구결과가 발표됐다.