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ÀÎÇÏ´ë Çкλý, ¹Ì±¹È­ÇÐȸ ±¹Á¦ÇмúÁö ³í¹® °ÔÀç
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ÀÎÇÏ´ë´Â ³ª³ë½Ã½ºÅÛ°øÇкΠ°íºÐÀڽżÒÀçÀü°ø 4Çгâ Àå¹Ì(23) ¾¾ÀÇ ³í¹®ÀÌ ¹Ì±¹È­ÇÐȸ(American Chemical Society)¿¡¼­ ÃâÆÇµÇ´Â ±¹Á¦ÇмúÁö(SCI) ¡®ÀÀ¿ëÀç·á ¹× °è¸é(Applied Materials & Interfaces)¡¯ÀÇ ÀÎÅÍ³ÝÆÇ(2010³â 1¿ù 12ÀÏ)¿¡ °ÔÀçµÆ´Ù°í 18ÀÏ ¹àÇû´Ù.

 

À̹ø¿¡ °ÔÀçµÈ ³í¹®Àº ¡®ÈÖ¾îÁö´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ Á¦ÀÛ¿¡ ÀÖ¾î Àý¿¬Ãþ °Åħ Á¤µµ°¡ ÆæÅ¸¼¾ °áÁ¤¼º¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ(Dependence of Pentacene Crystal Growth on Dielectric Roughness for Fabrication of Flexible Field-Effect Transistors)¡¯ÀÌ´Ù. Àå¹Ì ¾¾ÀÇ Çкבּ¸ Âü¿© 1³â µ¿¾ÈÀÇ ¿¬±¸ ÁÖÁ¦´Ù. ¾çȸâ ±³¼öÀÇ Áöµµ ¾Æ·¡ ¿¬±¸ºñ Áö¿øÀ» ¹Þ¾Æ Æ÷Ç×°ø´ë È­ÇаøÇаú ¹ÚÂù¾ð ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀ°úÀÇ °øµ¿¿¬±¸¸¦ ÅëÇØ ÀÌ·ïÁ³´Ù.

 

À̹ø ³í¹®Àº Â÷¼¼´ë ÈÖ¾îÁö´Â µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿¡ Àû¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °í¼º´É À¯±â¹Ú¸·Æ®·£Áö½ºÅÍ ³»ÀÇ ÆæÅ¸¼¾ °áÁ¤¼ºÀåÀÌ Àý¿¬ÃþÀÇ °ÅħÁ¤µµ¿¡ µû¶ó º¯È­µÇ´Â °úÁ¤À» ´Ù·ð´Ù. ¾Æ¿ï·¯ ´Ù¾çÇÑ ±¸µ¿È¯°æ¿¡¼­ÀÇ ¼º´É¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâÀ» ¿øÀÚ°£·ÂÇö¹Ì°æ°ú ½ºÄ§°¢ X-¼±È¸ÀýÀ» ÅëÇÏ¿© ±Ô¸íÇß´Ù.

 

ÇÑÆí Àå¹Ì ¾¾ÀÇ ÆæÅ¸¼¾±â¹Ý À¯±â¹Ú¸·Æ®·£Áö½ºÅÍ Èļӿ¬±¸ÀÎ ¡®À¯±â Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ¿¡¼­ ÆæÅ¸¼¾-Àý¿¬Ãþ ģȭµµ°¡ ÆæÅ¸¼¾ ¹Ú¸·¼ºÀå ¸ðÆú·ÎÁö¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâ(Effect of pentacene-dielectric affinity on pentacene thin film growth morphology in organic field-effect transistors)¡¯ÀÌ ¿µ±¹¿Õ¸³È­ÇÐȸ(Royal Society of Chemistry)¿¡¼­ ÃâÆÇÇÏ´Â ±¹Á¦ÇмúÁö ¡®Àç·áÈ­ÇÐ Àú³Î(Journal of Materials Chemistry)'(IF 4.65)¿¡µµ °ÔÀç°¡ ½ÂÀεƴٰí Çб³ ÃøÀº ¹àÇû´Ù.

ÀÌÁ¤Çõ ±âÀÚ (blinddance@unn.net) | ÀÔ·Â : 10-01-18 ¿ÀÈÄ 2:46
¨Ï Çѱ¹´ëÇнŹ®(http://unn.net) ¹«´ÜÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷±ÝÁö | ÀúÀ۱ǹ®ÀÇ
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